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元件参数资料
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参数目录49712
> FDD7N20TM MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
型号:
FDD7N20TM
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDD7N20TM PDF
产品目录绘图
DPAK, TO-252(AA)
标准包装
2,500
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
690 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
250pF @ 25V
功率 - 最大
43W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDD7N20TMTR
查看FDD7N20TM代理商
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